이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 2N5551S 입니다.
반도체 부품 중의 하나이고, EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 기능을 가지고 있으며, 2N5551S 라는 부품번호로 주문이 가능합니다.
해당 부품의 제조사는 KEC 입니다.
사진 및 이미지 :
2N5551S 파일 다운로드
PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=180V, VCEO=160V Low Leakage Current. : ICBO=50nA(Max.) VCB=120V Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.2V(Max.) IC=50mA, IB=5mA Low Noise : NF=8dB (Max.) MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING Collector-Base Voltage VCBO 180 Collector-Emitter Voltage VCEO 160 Emitter-Base Voltage VEBO 6 Collector Current IC 600 Base Current IB 100 Collector Power Dissipation PC * 350 Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Range Tstg -55 150 Note : * Package Mounted On 99.5% Alumina 10 8 0.6 ) UNIT V V V mA mA mW 2N5551S EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR E L BL DIM MILLIMETERS A 2.93+_ 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 A G H D 23 C 1.30 MAX D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 Q K 0.00 ~ 0.10 PP L 0.55 M 0.20 MIN N 1.00+0.20/-0.10 C N K J P7 Q 0.1 MAX M 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR SOT- […]
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.