전자부품 BCR189 – PNP Silicon Digital Transistor

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 BCR189 입니다.

반도체 부품 중의 하나이고, PNP Silicon Digital Transistor 기능을 가지고 있으며, BCR189 라는 부품번호로 주문이 가능합니다.

해당 부품의 제조사는 Infineon Technologies AG 입니다.

사진 및 이미지 :

BCR189 데이터시트 핀배열

BCR189 파일 다운로드

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

BCR189… PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 22kΩ) BCR189/F/L3 BCR189T C 3 R1 1 B 2 E EHA07180 Type BCR189 BCR189F BCR189L3 BCR189T Marking W2s W2s W2 W2s 1=B 1=B 1=B 1=B 2=E 2=E 2=E 2=E Pin Configuration 3=C 3=C 3=C 3=C – Package SOT23 TSLP-3 TSLP-3-4 SC75 1 Aug-29-2003 BCR189… Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-base voltage Emitter-base voltage Input on voltage Collector current Total power dissipationBCR189, TS ≤ 102°C BCR189F, TS ≤ 128°C BCR189L3, TS ≤ 135°C BCR189T, TS ≤ 109°C Junction temperature Storage temperature Thermal Resistance Parameter Junction – soldering point1) BCR189 BCR189F BCR189L3 BCR189T 1For calculation of R thJA please refer to Application Note Thermal Resistance Symbol VCEO VCBO VEBO Vi(on) IC Ptot Value 50 50 5 30 100 200 250 250 250 Unit V mA mW Tj Tstg Symbol RthJS 150 150 … -65 Value ≤ 240 ≤ 90 �� […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.
 


BUF646 데이터시트 – Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

BUF646 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 BUF646 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, Silicon NPN High Voltage Switching Transistor 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 TEMIC 입니다.

사진 및 이미지 :

BUF646 데이터시트 핀배열

BUF646 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

TELEFUNKEN Semiconductors BUF646 • BUF646A Silicon NPN High Voltage Switching Transistor Features D Simple-sWitch-Off Transistor (SWOT) D HIGH SPEED technology D Planarpassivation D 100 kHz switching rate D Very low switching losses D Very low dynamic saturation D Very low operating temperature D Optimized RBSOA D High reverse voltage 95 9630 Applications Electronic lamp ballast circuits Switch-mode power supplies Absolute Maximum Ratings Tcase = 25°C, unless otherwise specified Parameter Collector-emitter voltage Test Conditions Emitter-base voltage Collector current Collector peak current Base current Base peak current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature range xTcase 25°C Type BUF646 BUF646A BUF646 BUF646A Symbol VCEO VCEO VCES VCES VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg Value 400 450 850 1000 9 7 14 3 5 70 150 –65 to +150 Unit V V V V V A A A A W °C °C Maximum Thermal Resistance Tcase = 25°C, unless otherwise specified Parameter Junct […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.