K2613 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.
이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 K2613 입니다.
반도체 부품 중의 하나이며, 2SK2613 기능을 가지고 있습니다.
해당 부품의 제조사는 Toshiba Semiconductor 입니다.
사진 및 이미지 :
K2613 데이터시트 PDF
PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :
2SK2613 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (F-MOSIII) 2SK2613 Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.4 Ω (typ.) · High forward transfer admittance: ïYfsï = 6.0 S (typ.) · Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 800 V) · Enhancement-model: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Drain-source voltage Drain-gate voltage (RGS = 20 kW) Gate-source voltage Drain current DC (Note 1) Pulse (Note 1) Drain power dissipation (Tc = 25°C) Single pulse avalanche energy (Note 2) Avalanche current Repetitive avalanche energy (Note 3) Channel temperature Storage temperature range Symbol VDSS VDGR VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg Rating 1000 1000 ±30 8 24 150 910 8 15 150 -55~150 Unit V V V A W mJ A mJ °C °C 1. GATE 2. DRAIN (HEAT SINK) 3. SOURSE JEDEC ― JEITA ― TOSHIB […]
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.