IRGBC20S 데이터시트 – INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRGBC20S 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 IRGBC20S 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 International Rectifier 입니다.

사진 및 이미지 :

IRGBC20S 데이터시트 핀배열

IRGBC20S 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

PD – 9.687A IRGBC20S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Switching-loss rating includes all “tail” losses • Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve G E C Standard Speed IGBT VCES = 600V VCE(sat) ≤ 2.4V @VGE = 15V, I C = 10A n-channel Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, highcurrent applications. TO-220AB Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ T C = 25°C IC @ T C = 100°C ICM ILM VGE EARV PD @ T C = 25°C PD @ T C = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulsed Collector Current Clamped Inductive Load Current Gate-to-Emitter Voltage Reverse Voltage Avalanche Energy Maximum Po […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.