TDA7361 데이터시트 – Low Voltage NBFM IF System

TDA7361 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 TDA7361 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, Low Voltage NBFM IF System 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 ST Microelectronics 입니다.

사진 및 이미지 :

TDA7361 데이터시트 핀배열

TDA7361 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

TDA7361 LOW VOLTAGE NBFM IF SYSTEM . . . . . OPERATION FROM 1.8V TO 9V LOW DRAIN CURRENT (4mA, Vs = 4V) HIGH SENSITIVITY (-3dB input limiting at 3µV) 8µV INPUT FOR 20dB S/N LOW EXTERNAL FAIR COUNT DIP16 ORDERING NUMBER : TDA7361 DESCRIPTION The TDA7361 is a low-power narrow band FM IF demodulation system operable to less than 2 V supply voltage. The device includes Oscillator, Mixer, Limiting DataSheet Amplifier, Quadrature Discriminator, Op. Amp. Squelch, Scan Control and Mute Switch. SO16 The TDA7361 is designed for use in NBFM dual ORDERING NUMBER : TDA7361D conversion communication equipments using a 455 KHz ceramic filter like cordless telephones, walkie-talkies, scan receivers, etc. PIN CONNECTION DataShee DataSheet June1993 1/8 DataSheet DataSheet 4 U .com TDA7361 Pin FUNCTION No 1-2 Name XTAL OSCILLATOR Function Connections for the Colpitts XTAL Oscillator. The XTAL may be replaced by an inductor (see Figure 5 […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.
 


IRGBC20S 데이터시트 – INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRGBC20S 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 IRGBC20S 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 International Rectifier 입니다.

사진 및 이미지 :

IRGBC20S 데이터시트 핀배열

IRGBC20S 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

PD – 9.687A IRGBC20S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Switching-loss rating includes all “tail” losses • Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve G E C Standard Speed IGBT VCES = 600V VCE(sat) ≤ 2.4V @VGE = 15V, I C = 10A n-channel Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, highcurrent applications. TO-220AB Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ T C = 25°C IC @ T C = 100°C ICM ILM VGE EARV PD @ T C = 25°C PD @ T C = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulsed Collector Current Clamped Inductive Load Current Gate-to-Emitter Voltage Reverse Voltage Avalanche Energy Maximum Po […]

 
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