FR120N 데이터시트 – IRFR120N

FR120N 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 FR120N 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, IRFR120N 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 Fairchild Semiconductor 입니다.

사진 및 이미지 :

FR120N 데이터시트 핀배열

FR120N 데이터시트 다운로드

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

IRFR120, IRFU120 Data Sheet January 2002 8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These are N-Channel enhancement mode silicon gate Features • 8.4A, 100V • rDS(ON) = 0.270Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature – TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards” power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09 […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.
 


D2603 데이터시트 – SILICON NPN TRANSISTOR

D2603 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 D2603 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, SILICON NPN TRANSISTOR 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 FOSHAN BLUE ROCKET 입니다.

사진 및 이미지 :

D2603 데이터시트 핀배열

D2603 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

2SD2603(3DD2603) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般功率输出放大。 Purpose: Power out amplifier applications. 特点:击穿电压高,饱和压降低。 Features: High VCEO,low V .CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO 100 V VCEO 100 V VEBO 5.0 V IC 5.0 A PC 2.0 W PC(TC=25℃) 40 W Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition ICBO IEBO hFE VCE(sat) fT VCB=100V VEB=5.0V VCE=5.0V IC=3.0A VCE=5.0V IE=0 IC=0 IC=1.0A* IB=0.3A* IC=500mA f=1.0MHz 最小值 Min 60 10 数值 Rating 典型值 Typ 最大值 Max 20 20 200 1.0 单位 Unit μA μA V MHz *:脉冲测试/pulse test. hFE 分档/hFE classifications: R:60~120 O:100~200 佛山市蓝箭电子股份有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 2SD2603(3DD2603) 佛山市蓝箭电子股份有限公司 FOSHA […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.