TDA1554Q 데이터시트 – 4 x 11 W single-ended or 2 x 22 W power amplifier

TDA1554Q 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 TDA1554Q 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, 4 x 11 W single-ended or 2 x 22 W power amplifier 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 NXP 입니다.

사진 및 이미지 :

TDA1554Q 데이터시트 핀배열

TDA1554Q 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

INTEGRATED CIRCUITS DATA SHEET TDA1554Q 4 x 11 W single-ended or 2 x 22 W power amplifier Product specification File under Integrated Circuits, IC01 May 1992 Philips Semiconductors Product specification 4 x 11 W single-ended or 2 x 22 W power amplifier GENERAL DESCRIPTION TDA1554Q The TDA1554Q is an integrated class-B output amplifier in a 17-lead single-in-line (SIL) plastic power package. The circuit contains 4 x 11 W single-ended or 2 x 22 W bridge amplifiers. The device is primarily developed for car radio applications. Features • Requires very few external components • Flexibility in use − Quad single-ended or stereo BTL • High output power • Low offset voltage at outputs (important for BTL) • Fixed gain • Good ripple rejection • Mute/stand-by switch • Load dump protection • AC and DC short-circuit-safe to ground and VP QUICK REFERENCE DATA PARAMETER Supply voltage range operating Repetitive peak output current Total quiescent current Stand-by current […]

 
핀배열 및 응용회로는 PDF 파일을 참고 하시기 바랍니다.
 


SSP7N60B 데이터시트 – 600V N-Channel MOSFET

SSP7N60B 데이터시트 및 PDF 파일을 제공합니다.

이 전자부품의 정확한 파트넘버 및 부품번호는 SSP7N60B 입니다.

반도체 부품 중의 하나이며, 600V N-Channel MOSFET 기능을 가지고 있습니다.

해당 부품의 제조사는 Fairchild Semiconductor 입니다.

사진 및 이미지 :

SSP7N60B 데이터시트 핀배열

SSP7N60B 데이터시트 PDF

PDF 내의 텍스트 파일 일부 내용 :

SSP7N60B/SSS7N60B SSP7N60B/SSS7N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features • • • • • • • 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 38 nC) Low Crss ( typical 23 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability TO-220F package isolation = 4.0kV (Note 6) D G G DS TO-220 SSP Series GD S TO-220F SSS Series S Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS ID IDM VGSS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ, TSTG TL TC = 25°C unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage – Continuous (TC = 25°C) Drain Current – Continuous (TC […]

 
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